삼성전자가 비트 밀도를 전 세대 대비 58% 이상 높이고, 데이터 I/O 속도는 V9 대비 33% 개선하며 전력 소비는 25% 이상 줄인 'V10 BV-낸드'의 세부 기술을 공개했다. 이 제품은 단위 면적당 저장 용량을 의미하는 비트 밀도와 입출력 속도 향상과 함께 AI 데이터센터 요구에 대응하기 위해 개발되었으며, 핵심 기술로는 셀을 수직으로 연결하는 '3스택 고종횡비(HARC) 머지', 멀티 홀 및 제로 더미 홀 기술, 그리고 반도체 원판 본딩 기술을 포함한다. 삼성전자는 V10 기반 최대 128테라바이트급 초고용량 SSD와 차세대 PCIe 7.0 SSD 구현을 지원할 계획이다.
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